捷佳伟创：射频微晶P高速率高晶化率镀膜工艺再获突破
时间：2023-08-03 18:17:56
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从捷佳伟创官网获悉，近日，捷佳伟创常州HJT中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(RF)微晶P工艺，微晶P薄膜沉积速率超过2埃/秒，同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双面微晶的12BB异质结电池平均效率达到25.1%（德国ISFH（哈梅林）标准），电池良品率稳定在98%以上。
射频(RF)微晶P的高速高质量沉积，一直是困扰异质结大产能板式PECVD的技术难点，通过本次技术突破，捷佳伟创的大产能射频板式PECVD预计将比市面上主流设备减少1-2个微晶P腔体。射频(RF)微晶P设备工艺均匀性达到6%以内，稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证，达到行业先进技术水平。
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